固体缺陷理论-绝缘体和半导体中缺陷的电子结构-第2卷

作者：斯托尼汉姆

页数：955

出版社：世界图书出版公司

出版日期：2013

ISBN：9787510052804

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内容简介

晶体中缺陷的可能效应是多种多样的，影响到宝石的颜色和金属的强度，因此在一本书中讨论所有的缺陷性质是不可能的。作者尝试利用以下几个限制条件，来使得本书的取材在宽度和深度方面达到平衡。首先，本书重点论述缺陷，它不是一般固体物理，基本量子力学，或者群论的教材。第二，强调绝缘体和半导体中的点缺陷性质。第三，强调缺陷的电子性质。详细地讨论了光学和自旋共振性质，简单讨论了具有缺陷的晶格动力学，而忽略了大部分缺陷的产生和力学性质。总之，作者希望本书的内容尽可能广泛，希望所讨论的体系和读者所关心的情形尽可能类似。对于已经在别处详细讨论过的内容，本书只做简单介绍，例如过渡金属离子。作者非常强调那些在已有文献中较少讨论的重要性质，并且阐述那些仍然存在争议的观点。本书对广大研究人员和对固态科学感兴趣的研究生有用。本书适用于理论工作者，他们想把自己的工作和以前的计算结果联系起来，也适用于实验工作者，他们想知道到底应该相信哪些现有理论。

本书特色

《牛津大学研究生教材:固态缺陷理论(第2卷):绝缘体和半导体中缺陷的电子结构(英文)》由世界图书出版公司北京公司出版。

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《牛津大学研究生教材:固态缺陷理论(第2卷):绝缘体和半导体中缺陷的电子结构(英文)》由世界图书出版公司北京公司出版。