作者：杨树人，王宗昌，王兢编著
页数：240页
出版社：科学出版社
出版日期：2013
ISBN：9787030365033
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内容简介
本书共13章, 内容包括: 硅和锗的化学制备 ; 区熔提纯 ; 晶体生长 ; 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 ; 硅外延生长 ; Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 ; Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长 ; Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体 ; Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 ; 低维结构半导体材料 ; 氧化物半导体材料 ; 照明半导体材料 ; 其他半导体材料等。
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